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工控资讯

三星今年或将大力推进先进DRAM生产

时间：2024-01-09 作者：

据悉，三星已经向子公司Semes采购了大量热压（TC）键合机。作为生产堆叠DRAM、高带宽内存（HBM）以及DDR5等前沿技术所需设备之一，这种大型订单预示着三星有望在今年全力拓展先进DRAM产品。

消息透露，自2023年末起，存储芯片价格逐渐上涨；尽管整个行业陷入衰退期，受服务器和数据中心应用拉动，先进DRAM芯片需求依然稳健。而在另一方面，NAND闪存需求预计将继续走弱。

考虑到TC键合机订单数量庞大，据知情人士预测，三星还可能扩展订购广达制造的Syndion（适用于硅通孔（TSV）蚀刻）及泛林集团的Damascene SABRE 3D设备两款，也主要用于HBM的制备过程。

此外，据相关媒体报道，三星计划提升1a、1bDRAM芯片产能。

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